Transistor NPN MJW21195, 16A, TO-247, TO-247, 250V

Transistor NPN MJW21195, 16A, TO-247, TO-247, 250V

Quantidade
Preço unitário
1-4
7.58€
5-24
6.90€
25-49
6.01€
50+
5.56€
Quantidade em estoque: 155

Transistor NPN MJW21195, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: não. Data de produção: 2015/04. Diodo CE: não. FT: 4 MHz. Função: Excelente linearidade de ganho. Ganho máximo de hFE: 80. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 30A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJW21196. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MJW21195
25 parâmetros
Corrente do coletor
16A
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247
Tensão do coletor/emissor Vceo
250V
BE diodo
não
Data de produção
2015/04
Diodo CE
não
FT
4 MHz
Função
Excelente linearidade de ganho
Ganho máximo de hFE
80
Ganho mínimo de hFE
20
Ic(pulso)
30A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJW21196
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
400V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor