Transistor NPN MJL4302A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V

Transistor NPN MJL4302A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V

Quantidade
Preço unitário
1-4
9.76€
5-9
8.90€
10-24
8.23€
25-49
7.73€
50+
7.01€
Quantidade em estoque: 9

Transistor NPN MJL4302A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: não. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo CE: não. FT: 35 MHz. Função: Áudio potente, baixa distorção harmônica. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 30A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL4281A. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Temperatura operacional: -60...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Unidade de condicionamento: 25. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MJL4302A
27 parâmetros
Corrente do coletor
15A
Carcaça
TO-264 ( TOP-3L )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-264
Tensão do coletor/emissor Vceo
350V
BE diodo
não
Condicionamento
tubo de plástico
Diodo CE
não
FT
35 MHz
Função
Áudio potente, baixa distorção harmônica
Ganho máximo de hFE
250
Ganho mínimo de hFE
50
Ic(pulso)
30A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
230W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJL4281A
Tecnologia
Silicon Power Bipolar Transistor
Temperatura operacional
-60...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Unidade de condicionamento
25
Vcbo
350V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor