Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.49€
5-24
2.19€
25-49
2.01€
50-99
1.88€
100+
1.67€
Quantidade em estoque: 22

Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: não. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo CE: sim. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 50. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Quantidade por caixa: 1. Resistor BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tf(min): 2us. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: sim. Unidade de condicionamento: 50. Vcbo: 400V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27

Documentação técnica (PDF)
MJE5742
24 parâmetros
Corrente do coletor
8A
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão do coletor/emissor Vceo
800V
BE diodo
não
Condicionamento
tubo de plástico
Diodo CE
sim
Ganho máximo de hFE
400
Ganho mínimo de hFE
50
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
80W
Quantidade por caixa
1
Resistor BE
100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2)
RoHS
sim
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2V
Tf(min)
2us
Tipo de transistor
NPN
Transistor Darlington?
sim
Unidade de condicionamento
50
Vcbo
400V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor