Transistor NPN MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA. Tensão coletor-emissor VCEO: -300V. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor: -0.5A. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Configuração: montagem através de furo PCB. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Frequência de corte ft [MHz]: -. Frequência máxima: 10MHz. Marcação do fabricante: MJE350G. Número de terminais: 3. Polaridade: PNP. Potência: 20W. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tipo de transistor: Transistor de Potência. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27