Transistor NPN MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V

Transistor NPN MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.90€
5-49
0.77€
50-99
0.67€
100-199
0.59€
200+
0.50€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 108

Transistor NPN MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: não. C (pol.): 7pF. Custo): 110pF. Diodo CE: não. Equivalentes: KSE350. FT: 10 MHz. Função: -. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tipo de transistor: PNP. Vebo: 3V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27

Documentação técnica (PDF)
MJE350-ONS
22 parâmetros
Corrente do coletor
0.5A
Carcaça
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-225
Tensão do coletor/emissor Vceo
300V
BE diodo
não
C (pol.)
7pF
Custo)
110pF
Diodo CE
não
Equivalentes
KSE350
FT
10 MHz
Ganho máximo de hFE
240
Ganho mínimo de hFE
30
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
20.8W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJE340
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tipo de transistor
PNP
Vebo
3V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

Produtos e/ou acessórios equivalentes para MJE350-ONS