Transistor NPN MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V

Transistor NPN MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V

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1-4
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5-24
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Transistor NPN MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V. Carcaça: TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: -70V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 10A. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Frequência máxima: 4MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Marcação do fabricante: MJE2955T. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Polaridade: bipolar. Potência: 90W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T. Tecnologia: Base Epitaxial. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27

Documentação técnica (PDF)
MJE2955T
42 parâmetros
Carcaça
TO-220
Tensão coletor-emissor VCEO
-70V
Corrente do coletor
10A
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-220AB
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
60V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
10A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão do coletor/emissor Vceo
60V
BE diodo
não
Condicionamento
tubus
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
10A
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
75W
FT
2 MHz
Família de componentes
transistor de potência PNP
Frequência de corte ft [MHz]
2 MHz
Frequência máxima
4MHz
Função
NF-L
Ganho máximo de hFE
70
Ganho mínimo de hFE
20
Marcação do fabricante
MJE2955T
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
75W
Polaridade
bipolar
Potência
90W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJE3055T
Tecnologia
Base Epitaxial
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
70V
Tensão de saturação VCE(sat)
1.1V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
8V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
70V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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