Transistor NPN MJE200G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. Custo): 80pF. Diodo CE: não. FT: 65MHz. Função: -. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 45. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) MJE210. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 8V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27