Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.26€
5-24
2.83€
25-49
2.53€
50+
2.44€
Quantidade em estoque: 11

Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: não. C (pol.): 1750pF. Custo): 100pF. Diodo CE: não. FT: 13MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 34. Ic(pulso): 16A. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura operacional: -60...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27

MJE18008
23 parâmetros
Corrente do coletor
8A
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão do coletor/emissor Vceo
450V
BE diodo
não
C (pol.)
1750pF
Custo)
100pF
Diodo CE
não
FT
13MHz
Função
Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação
Ganho máximo de hFE
14
Ganho mínimo de hFE
34
Ic(pulso)
16A
Material semicondutor
silício
Pd (dissipação de energia, máx.)
120W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura operacional
-60...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.6V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1000V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor