Transistor NPN MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A
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Transistor NPN MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A. Carcaça: TO-220AB. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 5A. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Aplicações: comutação. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Família de componentes: transistor de potência NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 13 MHz. Marcação do fabricante: MJE18004G. Número de terminais: 3. Polaridade: NPN. Potência: 75W. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Tipo de transistor: Transistor de Potência. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27
MJE18004G
19 parâmetros
Carcaça
TO-220AB
Tensão coletor-emissor VCEO
1000V
Corrente do coletor
5A
Corrente do coletor Ic [A], máx.
5A
Aplicações
comutação
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-220
Configuração
montagem através de furo PCB
Dissipação máxima Ptot [W]
75W
Família de componentes
transistor de potência NPN
Frequência de corte ft [MHz]
13 MHz
Marcação do fabricante
MJE18004G
Número de terminais
3
Polaridade
NPN
Potência
75W
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
450V
Tipo de transistor
Transistor de Potência
Produto original do fabricante
Onsemi