Transistor NPN MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: não. Custo): 2.5pF. Diodo CE: não. FT: 30 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: transistor complementar (par) MJE15034G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27