Transistor NPN MJE15033G, -250V, TO-220, 8A, TO-220, 250V, 8A, TO-220AB, 250V

Transistor NPN MJE15033G, -250V, TO-220, 8A, TO-220, 250V, 8A, TO-220AB, 250V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.61€
5-24
2.30€
25-49
2.05€
50-99
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Transistor NPN MJE15033G, -250V, TO-220, 8A, TO-220, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Tensão coletor-emissor VCEO: -250V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 8A. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: não. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 10. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente máxima 1: -8A. Custo): 2pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Frequência de corte ft [MHz]: 30 MHz. Frequência máxima: 30MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 10. Informação: -. Largura de banda MHz: 30MHz. MSL: -. Marcação do fabricante: MJE15033G. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Polaridade: PNP. Potência: 50W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15032. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tipo: Potência. VCBO de tensão-base do coletor: -250V. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27

Documentação técnica (PDF)
MJE15033G
44 parâmetros
Tensão coletor-emissor VCEO
-250V
Carcaça
TO-220
Corrente do coletor
8A
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-220
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
250V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
8A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão do coletor/emissor Vceo
250V
BE diodo
não
Colecionador DC/ganho de base hfe min.
10
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente máxima 1
-8A
Custo)
2pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
50W
FT
30 MHz
Família de componentes
transistor PNP de alta tensão
Frequência de corte ft [MHz]
30 MHz
Frequência máxima
30MHz
Função
para amplificador de áudio
Ganho máximo de hFE
50
Ganho mínimo de hFE
10
Largura de banda MHz
30MHz
Marcação do fabricante
MJE15033G
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Polaridade
PNP
Potência
50W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJE15032
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.5V
Tipo de montagem
montagem através de furo PCB
Tipo de transistor
PNP
Tipo
Potência
VCBO de tensão-base do coletor
-250V
Vcbo
250V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor