Transistor NPN MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Tensão coletor-emissor VCEO: -150V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: não. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 20. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente máxima 1: -8A. Diodo CE: não. FT: 30 MHz. Frequência máxima: 30MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Informação: -. Largura de banda MHz: 30MHz. MSL: -. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Polaridade: PNP. Potência: 50W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15030G. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tipo: Potência. Unidade de condicionamento: 50. VCBO de tensão-base do coletor: -150V. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:52