Transistor NPN MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V

Transistor NPN MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.76€
5-49
1.51€
50-99
1.35€
100-199
1.22€
200+
1.05€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 87

Transistor NPN MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: não. Corrente do coletor Ic [A]: 8A. Custo): 80pF. Diodo CE: não. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Polaridade: bipolar. Potência: 80W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade. Tecnologia: Transistor de potência bipolar. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tf(min): 0.23us. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:05

MJE13007
32 parâmetros
Carcaça
TO-220
Corrente do coletor
8A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão do coletor/emissor Vceo
400V
BE diodo
não
Corrente do coletor Ic [A]
8A
Custo)
80pF
Diodo CE
não
FT
14 MHz
Função
circuitos de comutação
Ganho máximo de hFE
40
Ganho mínimo de hFE
8:1
Ic(pulso)
16A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
80W
Polaridade
bipolar
Potência
80W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Comutação de alta velocidade
Tecnologia
Transistor de potência bipolar
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
400V
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tf(min)
0.23us
Tf(máx.)
0.7us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
700V
Vebo
9V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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