Transistor NPN MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A

Transistor NPN MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A

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Transistor NPN MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 90 MHz. Marcação do fabricante: J45H11. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:50

Documentação técnica (PDF)
MJD45H11G
13 parâmetros
Carcaça
D-PAK
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-252
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
80V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
8A
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Dissipação máxima Ptot [W]
20W
Família de componentes
transistor de potência PNP
Frequência de corte ft [MHz]
90 MHz
Marcação do fabricante
J45H11
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C
Produto original do fabricante
Onsemi