Transistor NPN MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A

Transistor NPN MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A

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Transistor NPN MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A. Tensão coletor-emissor VCEO: -250V. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor: -16A. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 5. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente máxima 1: -16A. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Frequência máxima: 4 MHz. Informação: -. Largura de banda MHz: 4MHz. MSL: -. Marcação do fabricante: MJ15025G. Número de terminais: 3. Polaridade: PNP. Potência: 250W. RoHS: sim. Temperatura máxima: +200°C.. Tipo de montagem: Montagem do chassi. Tipo de transistor: Transistor de Potência. Tipo: Potência. VCBO de tensão-base do coletor: -400V. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27

Documentação técnica (PDF)
MJ15025G
25 parâmetros
Tensão coletor-emissor VCEO
-250V
Carcaça
TO-3
Corrente do coletor
-16A
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-204AA
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
250V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
16A
Colecionador DC/ganho de base hfe min.
5
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente máxima 1
-16A
Dissipação máxima Ptot [W]
250W
Família de componentes
transistor PNP de alta tensão
Frequência de corte ft [MHz]
4 MHz
Frequência máxima
4 MHz
Largura de banda MHz
4MHz
Marcação do fabricante
MJ15025G
Número de terminais
3
Polaridade
PNP
Potência
250W
RoHS
sim
Temperatura máxima
+200°C.
Tipo de montagem
Montagem do chassi
Tipo de transistor
Transistor de Potência
Tipo
Potência
VCBO de tensão-base do coletor
-400V
Produto original do fabricante
Onsemi