Transistor NPN MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V

Transistor NPN MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V

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Transistor NPN MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Tensão coletor-emissor VCEO: 140V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20A. Corrente do coletor: 20A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 25. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente máxima 1: 20A. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. FT: 2 MHz. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Frequência máxima: 2MHz. Função: Transistor de Potência. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 25. Informação: -. Largura de banda MHz: 2MHz. MSL: -. Marcação do fabricante: MJ15003G. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Polaridade: NPN. Potência: 250W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15004. Temperatura máxima: +200°C.. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tipo de montagem: Montagem do chassi. Tipo de transistor: NPN. Tipo: Potência. VCBO de tensão-base do coletor: 140V. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:05

Documentação técnica (PDF)
MJ15003G
43 parâmetros
Carcaça
TO-3 ( TO-204 )
Tensão coletor-emissor VCEO
140V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
20A
Corrente do coletor
20A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3
Tensão do coletor/emissor Vceo
140V
BE diodo
não
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-204AA
Colecionador DC/ganho de base hfe min.
25
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente máxima 1
20A
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
250W
FT
2 MHz
Família de componentes
transistor NPN de alta tensão
Frequência de corte ft [MHz]
2 MHz
Frequência máxima
2MHz
Função
Transistor de Potência
Ganho máximo de hFE
150
Ganho mínimo de hFE
25
Largura de banda MHz
2MHz
Marcação do fabricante
MJ15003G
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
250W
Polaridade
NPN
Potência
250W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJ15004
Temperatura máxima
+200°C.
Temperatura operacional
-65...+200°C
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
140V
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tipo de montagem
Montagem do chassi
Tipo de transistor
NPN
Tipo
Potência
VCBO de tensão-base do coletor
140V
Vcbo
140V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor