Transistor NPN MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A

Transistor NPN MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A

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Preço unitário
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Transistor NPN MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A. Carcaça: TO-3. Tensão coletor-emissor VCEO: 120V. Corrente do coletor: 50A. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Frequência de corte ft [MHz]: -. Frequência máxima: 30MHz. Marcação do fabricante: MJ11032G. Número de terminais: 3. Polaridade: NPN. Potência: 300W. RoHS: sim. Temperatura máxima: +200°C.. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington. Tipo: Transistor Darlington. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27

Documentação técnica (PDF)
MJ11032G
19 parâmetros
Carcaça
TO-3
Tensão coletor-emissor VCEO
120V
Corrente do coletor
50A
Corrente do coletor Ic [A], máx.
50A
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-204AA
Configuração
montagem através de furo PCB
Dissipação máxima Ptot [W]
300W
Família de componentes
Transistor de potência Darlington NPN
Frequência máxima
30MHz
Marcação do fabricante
MJ11032G
Número de terminais
3
Polaridade
NPN
Potência
300W
RoHS
sim
Temperatura máxima
+200°C.
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
120V
Tipo de transistor
Transistor de potência Darlington
Tipo
Transistor Darlington
Produto original do fabricante
Onsemi