Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30A. Corrente do coletor: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: não. C (pol.): 4pF. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. FT: 4 MHz. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Frequência de corte ft [MHz]: -. Ganho mínimo de hFE: 1000. Marcação do fabricante: MJ11016G. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminais: 2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ11015. Temperatura máxima: +200°C.. Temperatura operacional: -55...+200°C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:05