Transistor NPN MJ11015G, TO-3 ( TO-204 ), TO-204AA, -120V, 30A, 120V, 30A, TO-3, 120V. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor VCEO: -120V. Corrente do coletor: 30A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: não. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 200. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente máxima 1: -30A. Diodo CE: não. Diodo embutido: sim. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. FT: 4 MHz. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Frequência de corte ft [MHz]: -. Frequência máxima: 4MHz. Função: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Ganho mínimo de hFE: 1000. Informação: -. Largura de banda MHz: 4MHz. MSL: -. Marcação do fabricante: MJ11015G. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminais: 2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Polaridade: PNP. Potência: 200W. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ11016. Série: MJ11015G. Temperatura máxima: +200°C.. Temperatura operacional: -55...+200°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tipo de montagem: Montagem do chassi. Tipo de transistor: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Transistor Darlington?: sim. VCBO de tensão-base do coletor: -120V. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:05