Transistor NPN MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V

Transistor NPN MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.68€
5-9
5.03€
10-24
4.65€
25+
4.33€
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Transistor NPN MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: não. Custo): 2.5pF. Diodo CE: não. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 30A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tf(máx.): 0.6us. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 650V. Vebo: 8V. Produto original do fabricante: Mospec Semiconductor Corp. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:05

Documentação técnica (PDF)
MJ10005
25 parâmetros
Corrente do coletor
20A
Carcaça
TO-3 ( TO-204 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3 ( TO–204AE )
Tensão do coletor/emissor Vceo
450V
BE diodo
não
Custo)
2.5pF
Diodo CE
não
FT
kHz
Ganho máximo de hFE
400
Ganho mínimo de hFE
40
Ic(pulso)
30A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
175W
Quantidade por caixa
1
Spec info
Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms
Temperatura operacional
-65...+200°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2V
Tf(máx.)
0.6us
Tipo de transistor
NPN
Transistor Darlington?
sim
Vcbo
650V
Vebo
8V
Produto original do fabricante
Mospec Semiconductor Corp.