Transistor NPN KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Transistor NPN KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.31€
5-29
2.03€
30-59
1.82€
60+
1.67€
Quantidade em estoque: 18

Transistor NPN KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( H ) IS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: não. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 280pF. Diodo CE: não. FT: 10 MHz. Função: Amplificador de áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Marcação na caixa: B778. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) KTD998. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tipo de transistor: PNP. Unidade de condicionamento: 30. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Korea Electronics Semi. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27

Documentação técnica (PDF)
KTB778
26 parâmetros
Corrente do coletor
10A
Carcaça
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3P ( H ) IS
Tensão do coletor/emissor Vceo
120V
BE diodo
não
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
280pF
Diodo CE
não
FT
10 MHz
Função
Amplificador de áudio de alta potência
Ganho máximo de hFE
160
Ganho mínimo de hFE
55
Marcação na caixa
B778
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
80W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) KTD998
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2.5V
Tipo de transistor
PNP
Unidade de condicionamento
30
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Korea Electronics Semi.