Transistor NPN FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v

Transistor NPN FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v

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Transistor NPN FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5.5A. Corrente do coletor: 5.5A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. FT: 100 MHz. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Função: PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 20A. Marcação do fabricante: FZT949. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Tensão de saturação muito baixa. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Zetex. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19

Documentação técnica (PDF)
FZT949
31 parâmetros
Carcaça
SOT-223 ( TO-226 )
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
30 v
Corrente do coletor Ic [A], máx.
5.5A
Corrente do coletor
5.5A
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-223
Tensão do coletor/emissor Vceo
30 v
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Dissipação máxima Ptot [W]
3W
FT
100 MHz
Família de componentes
transistor de potência PNP
Frequência de corte ft [MHz]
100 MHz
Função
PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
20A
Marcação do fabricante
FZT949
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
3W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Tensão de saturação muito baixa
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.35V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Zetex