Transistor NPN FJP13009H2, 12A, TO-220, TO-220, 400V

Transistor NPN FJP13009H2, 12A, TO-220, TO-220, 400V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.80€
5-24
2.41€
25-49
2.13€
50-99
1.97€
100+
1.76€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 23

Transistor NPN FJP13009H2, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: não. Custo): 180pF. Diodo CE: não. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 28. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J13009-2. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41

Documentação técnica (PDF)
FJP13009H2
26 parâmetros
Corrente do coletor
12A
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão do coletor/emissor Vceo
400V
BE diodo
não
Custo)
180pF
Diodo CE
não
FT
4 MHz
Função
Comutação rápida de alta tensão
Ganho máximo de hFE
28
Ganho mínimo de hFE
15
Ic(pulso)
24A
Marcação na caixa
J13009-2
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
100W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tf(máx.)
0.7us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
700V
Vebo
9V
Produto original do fabricante
Fairchild

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