Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantidade
Preço unitário
10-19
0.0610€
20-49
0.0544€
50+
0.0479€
Quantidade em estoque: 2280
Mín.: 10

Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Data de produção: 2014/49. FT: kHz. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 18. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:16

Documentação técnica (PDF)
DTC143ZT
22 parâmetros
Corrente do coletor
100mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
Data de produção
2014/49
FT
kHz
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
100mA
Marcação na caixa
18
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.25W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.1V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
10V
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors
Quantidade mínima
10