Transistor NPN DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantidade
Preço unitário
10-24
0.0977€
25-49
0.0844€
50-99
0.0766€
100+
0.0647€
Quantidade em estoque: 65
Mín.: 10

Transistor NPN DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Custo): 3pF. Diodo CE: não. Função: Transistor equipado com resistor PNP. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 100mA. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Quantidade por caixa: 1. Resistor B: 4.7k Ohms. Resistor BE: 47k Ohms. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 19. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:03

Documentação técnica (PDF)
DTA143ZT
26 parâmetros
Corrente do coletor
100mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
BE diodo
não
Custo)
3pF
Diodo CE
não
Função
Transistor equipado com resistor PNP
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
100mA
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.25W
Quantidade por caixa
1
Resistor B
4.7k Ohms
Resistor BE
47k Ohms
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD 19
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
10V
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors
Quantidade mínima
10