Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

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Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Corrente do coletor: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 2A. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. FT: 4 MHz. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Função: S-L. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 3A. Marcação do fabricante: BUX85G. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Polaridade: bipolar. Potência: 40W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão (colecionador - emissor): 1kV. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:16

Documentação técnica (PDF)
BUX85
36 parâmetros
Carcaça
TO-220
Corrente do coletor Ic [A], máx.
2A
Corrente do coletor
2A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão do coletor/emissor Vceo
450V
BE diodo
não
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-220
Condicionamento
tubus
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
2A
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
50W
FT
4 MHz
Família de componentes
transistor NPN de alta tensão
Frequência de corte ft [MHz]
4 MHz
Função
S-L
Ganho máximo de hFE
50
Ganho mínimo de hFE
30
Ic(pulso)
3A
Marcação do fabricante
BUX85G
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Polaridade
bipolar
Potência
40W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tensão (colecionador - emissor)
1kV
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
450V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.8V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1000V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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