Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.91€
5-24
1.61€
25-49
1.43€
50-99
1.30€
100+
1.13€
Quantidade em estoque: 56

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V. Tensão coletor-emissor VCEO: 1600V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: não. Diodo CE: não. Função: comutação rápida de alta tensão, para comutação de fontes de alimentação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 6A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Polaridade: NPN. Potência: 90W. Quantidade por caixa: 1. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tf(min): 450 ns. Tf(máx.): 720 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 9V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:31

Documentação técnica (PDF)
BUL216
26 parâmetros
Tensão coletor-emissor VCEO
1600V
Carcaça
TO-220
Corrente do coletor
4A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão do coletor/emissor Vceo
800V
BE diodo
não
Diodo CE
não
Função
comutação rápida de alta tensão, para comutação de fontes de alimentação
Ganho máximo de hFE
40
Ganho mínimo de hFE
10
Ic(pulso)
6A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
90W
Polaridade
NPN
Potência
90W
Quantidade por caixa
1
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
3V
Tf(min)
450 ns
Tf(máx.)
720 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1600V
Vebo
9V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics