Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Quantidade
Preço unitário
1-4
8.44€
5-9
7.73€
10-24
7.06€
25-49
6.63€
50+
5.89€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 7

Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 230. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 10A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. Quantidade por caixa: 2. Resistor BE: 42 Ohms. RoHS: sim. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tf(min): 0.2us. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:31

Documentação técnica (PDF)
BU808DFX
25 parâmetros
Corrente do coletor
8A
Carcaça
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOWATT218FX
Tensão do coletor/emissor Vceo
700V
FT
kHz
Ganho máximo de hFE
230
Ganho mínimo de hFE
60
Ic(pulso)
10A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
62W
Quantidade por caixa
2
Resistor BE
42 Ohms
RoHS
sim
Spec info
ICM--(tp < 5ms)
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1.6V
Tf(min)
0.2us
Tf(máx.)
0.8us
Tipo de transistor
NPN
Transistor Darlington?
sim
Vcbo
1400V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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