Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.66€
5-24
2.31€
25-49
2.06€
50+
1.83€
Quantidade em estoque: 311

Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. FT: kHz. Função: Comutação de alta tensão e alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 13. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Tensão de isolamento 2500V. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Tecnologia: Transistor de Potência. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tf(min): 0.35us. Tf(máx.): 0.5us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:31

Documentação técnica (PDF)
BU2520DF-PHI
25 parâmetros
Corrente do coletor
10A
Carcaça
SOT-199
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-199
Tensão do coletor/emissor Vceo
800V
FT
kHz
Função
Comutação de alta tensão e alta velocidade
Ganho máximo de hFE
13
Ganho mínimo de hFE
5
Ic(pulso)
25A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
Tensão de isolamento 2500V
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
45W
Quantidade por caixa
1
Spec info
Switching times (16kHz line deflection circuit)
Tecnologia
Transistor de Potência
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
5V
Tf(min)
0.35us
Tf(máx.)
0.5us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
13.5V
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors