Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.89€
5-24
0.78€
25-49
0.70€
50-99
0.63€
100+
0.51€
Quantidade em estoque: 19

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Diodo CE: sim. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 2A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Quantidade por caixa: 1. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Tf(min): 500 ns. Tf(máx.): 1300 ns. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BSR51
24 parâmetros
Corrente do coletor
1A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92 ( SOT-54 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
60V
BE diodo
não
Diodo CE
sim
FT
200 MHz
Ganho máximo de hFE
2000
Ganho mínimo de hFE
1000
Ic(pulso)
2A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.83W
Quantidade por caixa
1
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1.3V
Tf(min)
500 ns
Tf(máx.)
1300 ns
Tipo de transistor
NPN
Transistor Darlington?
sim
Vcbo
80V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors