Transistor NPN BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Transistor NPN BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

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Transistor NPN BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: não. Diodo CE: sim. FT: 200 MHz. Função: alta corrente DC, drivers de relé, drivers de lâmpada. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 2A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 1.25W. Quantidade por caixa: 1. Resistor BE: 150 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) BSP50. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Tipo de transistor: PNP. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BSP60-115
24 parâmetros
Corrente do coletor
1A
Carcaça
SOT-223 ( TO-226 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-223
Tensão do coletor/emissor Vceo
45V
BE diodo
não
Diodo CE
sim
FT
200 MHz
Função
alta corrente DC, drivers de relé, drivers de lâmpada
Ganho máximo de hFE
2000
Ganho mínimo de hFE
1000
Ic(pulso)
2A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
1.25W
Quantidade por caixa
1
Resistor BE
150 Ohms
Spec info
transistor complementar (par) BSP50
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1.3V
Tipo de transistor
PNP
Transistor Darlington?
sim
Vcbo
60V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors