Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

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Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corrente do coletor: 25mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. FT: 450 MHz. Função: Circuito de película espessa e fina IF e VHF. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 25mA. Marcação na caixa: G1*. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD G1p, G1t, G1W. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BFS20
23 parâmetros
Corrente do coletor
25mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
20V
FT
450 MHz
Função
Circuito de película espessa e fina IF e VHF
Ganho máximo de hFE
140
Ganho mínimo de hFE
40
Ic(pulso)
25mA
Marcação na caixa
G1*
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD G1p, G1t, G1W
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
30 v
Vebo
4 v
Produto original do fabricante
Diodes Inc
Quantidade mínima
10