Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

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Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente do coletor: 35mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. BE diodo: não. Condicionamento: rolo. Diodo CE: não. FT: 6GHz. Função: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Ganho máximo de hFE: 90. Ganho mínimo de hFE: 40. Marcação na caixa: R2. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD R2. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 3000. Vcbo: 15V. Vebo: 2V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BFR93A
24 parâmetros
Corrente do coletor
35mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
12V
BE diodo
não
Condicionamento
rolo
Diodo CE
não
FT
6GHz
Função
UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.
Ganho máximo de hFE
90
Ganho mínimo de hFE
40
Marcação na caixa
R2
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.3W
Quantidade por caixa
1
Spec info
SMD R2
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tipo de transistor
NPN
Unidade de condicionamento
3000
Vcbo
15V
Vebo
2V
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors