Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.41€
5-49
0.34€
50-99
0.30€
100-199
0.27€
200+
0.23€
Quantidade em estoque: 65

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Corrente do coletor: 80mA. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. BE diodo: não. C (pol.): 0.9pF. Custo): 0.28pF. Diodo CE: não. FT: 8GHz. Função: UHF wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Marcação na caixa: RCs. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 580mW (total 380mW). Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD RCs. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BFP193E6327
25 parâmetros
Corrente do coletor
80mA
Carcaça
SOT-143
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-143
Tensão do coletor/emissor Vceo
12V
BE diodo
não
C (pol.)
0.9pF
Custo)
0.28pF
Diodo CE
não
FT
8GHz
Função
UHF wideband transistor
Ganho máximo de hFE
140
Ganho mínimo de hFE
70
Marcação na caixa
RCs
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
4
Pd (dissipação de energia, máx.)
580mW (total 380mW)
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD RCs
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
2V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies