Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.13€
5-24
2.89€
25-49
2.74€
50-99
2.63€
100+
2.43€
Quantidade em estoque: 113

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Corrente do coletor: 200mA. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. BE diodo: não. Custo): 0.7pF. Diodo CE: não. FT: 7GHz. Função: Para amplificador de antena VHF/UHF e aplicações de comunicação RF. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura operacional: -60...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 3V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BFG591
23 parâmetros
Corrente do coletor
200mA
Carcaça
SOT-223 ( TO-226 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-223
Tensão do coletor/emissor Vceo
15V
BE diodo
não
Custo)
0.7pF
Diodo CE
não
FT
7GHz
Função
Para amplificador de antena VHF/UHF e aplicações de comunicação RF
Ganho máximo de hFE
250
Ganho mínimo de hFE
60
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
4
Pd (dissipação de energia, máx.)
2W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura operacional
-60...+150°C
Temperatura
+150°C
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
3V
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors