Transistor NPN BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V

Transistor NPN BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0621€
50-99
0.0513€
100+
0.0444€
Quantidade em estoque: 20777
Mín.: 10

Transistor NPN BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Corrente do coletor: 50mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Configuração: montagem através de furo PCB. Diodo CE: sim. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. FT: 80 MHz. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Frequência de corte ft [MHz]: 60 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 100mA. Marcação do fabricante: BF421. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: não. Spec info: transistor complementar (par) BF420. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BF421
33 parâmetros
Carcaça
TO-92
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-226AA
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
300V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
500mA
Corrente do coletor
50mA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
300V
Configuração
montagem através de furo PCB
Diodo CE
sim
Dissipação máxima Ptot [W]
0.625W
FT
80 MHz
Família de componentes
transistor PNP de alta tensão
Frequência de corte ft [MHz]
60 MHz
Ganho mínimo de hFE
40
Ic(pulso)
100mA
Marcação do fabricante
BF421
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
830mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
não
Spec info
transistor complementar (par) BF420
Tecnologia
Transistor Planar Triplo Difuso
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.2V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
300V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba
Quantidade mínima
10