Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V

Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V

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Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 25V. Corrente do coletor: 100mA. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Aplicações: RF-POWER. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 25uA. Custo): 3.5pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. FT: 1100 MHz. Família de componentes: Transistor NPN de alta frequência. Frequência de corte ft [MHz]: 750 MHz. Frequência máxima: 400MHz. Frequência: 550MHz. Função: TV-IF. Marcação do fabricante: BF199. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Polaridade: bipolar. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Tensão (colecionador - emissor): 40V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Produto original do fabricante: Cdil. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BF199
37 parâmetros
Carcaça
TO-92
Tensão coletor-emissor VCEO
25V
Corrente do coletor
100mA
Corrente do coletor Ic [A], máx.
100mA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
25V
Aplicações
RF-POWER
BE diodo
não
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-226AA
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
25uA
Custo)
3.5pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.35W
FT
1100 MHz
Família de componentes
Transistor NPN de alta frequência
Frequência de corte ft [MHz]
750 MHz
Frequência máxima
400MHz
Frequência
550MHz
Função
TV-IF
Marcação do fabricante
BF199
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
350mW
Polaridade
bipolar
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Transistor Epitaxial Planar
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55°C a +150°C
Tensão (colecionador - emissor)
40V
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
25V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
40V
Vebo
4 v
Produto original do fabricante
Cdil