Transistor NPN BDW83C-PMC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

Transistor NPN BDW83C-PMC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.32€
5-24
2.01€
25-49
1.80€
50+
1.58€
Quantidade em estoque: 48

Transistor NPN BDW83C-PMC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. FT: 1 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 750. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDW84C. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tf(min): 0.9us. Tf(máx.): 7us. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Div. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:30

Documentação técnica (PDF)
BDW83C-PMC
23 parâmetros
Corrente do coletor
15A
Carcaça
TO-3PN ( 2-16C1B )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3PN
Tensão do coletor/emissor Vceo
100V
FT
1 MHz
Ganho máximo de hFE
20000
Ganho mínimo de hFE
750
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
150W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BDW84C
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2.5V
Tf(min)
0.9us
Tf(máx.)
7us
Tipo de transistor
NPN
Transistor Darlington?
sim
Vcbo
100V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Div