Transistor NPN BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: não. Configuração: montagem através de furo PCB. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Frequência de corte ft [MHz]: -. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 20A. Marcação do fabricante: BDV64BG. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDV65B. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tipo de transistor: PNP. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 00:14