Transistor NPN BDT64C, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: sim. Diodo CE: sim. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 1500. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 20A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Quantidade por caixa: 2. Spec info: transistor complementar (par) BDT65C. Tecnologia: Transistor Darlington. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tf(min): 0.5us. Tf(máx.): 2.5us. Tipo de transistor: PNP. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 120V. Vebo: 2.5V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 00:14