Transistor NPN BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A

Transistor NPN BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A

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Transistor NPN BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A. Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Tensão coletor-emissor VCEO: -60V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 25. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente máxima 1: -3A. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Informação: -. Largura de banda MHz: 100MHz. Marcação do fabricante: BDP950. Número de terminais: 3. Polaridade: PNP. Potência: 3W. RoHS: sim. Série: BDP. Temperatura máxima: +150°C.. Tipo de montagem: SMD. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. VCBO de tensão-base do coletor: -60V. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:48

Documentação técnica (PDF)
BDP950
23 parâmetros
Carcaça
SOT-223
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-264
Tensão coletor-emissor VCEO
-60V
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
60V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
3A
Colecionador DC/ganho de base hfe min.
25
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente máxima 1
-3A
Dissipação máxima Ptot [W]
5W
Família de componentes
transistor de potência PNP
Frequência de corte ft [MHz]
100 MHz
Largura de banda MHz
100MHz
Marcação do fabricante
BDP950
Número de terminais
3
Polaridade
PNP
Potência
3W
RoHS
sim
Série
BDP
Temperatura máxima
+150°C.
Tipo de montagem
SMD
Tipo
transistor para aplicações de baixa potência
VCBO de tensão-base do coletor
-60V
Produto original do fabricante
Infineon