Transistor NPN BD682, TO-126, SOT-32, -100V, 4A, 100V, 4A, 100V. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: 4A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: não. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 750. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 4A. Corrente máxima 1: -4A. Diodo CE: sim. Diodo embutido: sim. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. FT: 10 MHz. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Frequência de corte ft [MHz]: -. Função: NF-L. Ganhe hfe: 750. Ganho máximo de hFE: -. Ganho mínimo de hFE: 750. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: BD682. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: THT. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Polaridade: bipolar. Potência: 40W. Quantidade por caixa: 1. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD681. Série: BD682. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão (colecionador - emissor): 100V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Transistor Darlington?: sim. VCBO de tensão-base do coletor: -100V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:24