Transistor NPN BD442, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V

Transistor NPN BD442, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V

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Transistor NPN BD442, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Data de produção: 1449. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. FT: 3 MHz. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Função: PNP TRANSISTOR 80V 2A. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 7A. Marcação do fabricante: BD442. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD441. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tipo de transistor: PNP. Transistor Darlington?: não. Vcbo: 80V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:24

Documentação técnica (PDF)
BD442
36 parâmetros
Carcaça
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Carcaça (padrão JEDEC)
SOT-32
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
80V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
4A
Corrente do coletor
4A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-126
Tensão do coletor/emissor Vceo
80V
BE diodo
não
Condicionamento
tubo de plástico
Configuração
montagem através de furo PCB
Data de produção
1449
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
36W
FT
3 MHz
Família de componentes
transistor de potência PNP
Frequência de corte ft [MHz]
3 MHz
Função
PNP TRANSISTOR 80V 2A
Ganho máximo de hFE
130
Ganho mínimo de hFE
20
Ic(pulso)
7A
Marcação do fabricante
BD442
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
36W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BD441
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.8V
Tipo de transistor
PNP
Transistor Darlington?
não
Vcbo
80V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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