Transistor NPN BD244CG, TO-220, 6A, -100V, TO-220, 100V

Transistor NPN BD244CG, TO-220, 6A, -100V, TO-220, 100V

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1-4
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5-49
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Transistor NPN BD244CG, TO-220, 6A, -100V, TO-220, 100V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 6A. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: não. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 20. Corrente do coletor Ic [A]: 6A. Corrente máxima 1: -6A. Diodo CE: não. Embalagem: tubus. FT: 3 MHz. Frequência máxima: 3MHz. Frequência: 3MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Informação: -. Largura de banda MHz: 3MHz. MSL: -. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Polaridade: bipolar. Potência: 65W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD243C. Série: BD. Temperatura operacional: -65°C...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tipo: Potência. VCBO de tensão-base do coletor: -100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:24

Documentação técnica (PDF)
BD244CG
38 parâmetros
Carcaça
TO-220
Corrente do coletor
6A
Tensão coletor-emissor VCEO
-100V
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão do coletor/emissor Vceo
100V
BE diodo
não
Colecionador DC/ganho de base hfe min.
20
Corrente do coletor Ic [A]
6A
Corrente máxima 1
-6A
Diodo CE
não
Embalagem
tubus
FT
3 MHz
Frequência máxima
3MHz
Frequência
3MHz
Ganho máximo de hFE
30
Ganho mínimo de hFE
15
Ic(pulso)
10A
Largura de banda MHz
3MHz
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
65W
Polaridade
bipolar
Potência
65W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BD243C
Série
BD
Temperatura operacional
-65°C...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
100V
Tensão de saturação VCE(sat)
1.5V
Tipo de montagem
montagem através de furo PCB
Tipo de transistor
PNP
Tipo
Potência
VCBO de tensão-base do coletor
-100V
Vcbo
100V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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