Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V

Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V

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Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V. Carcaça: TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 2A. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 2A. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W. FT: 3 MHz. Família de componentes: transistor de potência NPN. Frequência de corte ft [MHz]: -. Frequência: 3MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 4A. Marcação do fabricante: BD239C. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Polaridade: bipolar. Potência: 30W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD240C. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 115V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 02/01/2026, 10:36

Documentação técnica (PDF)
BD239C
39 parâmetros
Carcaça
TO-220
Tensão coletor-emissor VCEO
100V
Corrente do coletor
2A
Corrente do coletor Ic [A], máx.
2A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão do coletor/emissor Vceo
115V
BE diodo
não
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-220AB
Condicionamento
tubus
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
2A
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
30W
FT
3 MHz
Família de componentes
transistor de potência NPN
Frequência
3MHz
Função
NF-L
Ganho máximo de hFE
40
Ganho mínimo de hFE
15
Ic(pulso)
4A
Marcação do fabricante
BD239C
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
30W
Polaridade
bipolar
Potência
30W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BD240C
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
115V
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
100V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.7V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics