Transistor NPN BD140, TO-126 (TO-225, SOT-32), -100V, 1.5A, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 1.5A. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: -. Frequência máxima: 50MHz. Frequência: 50MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 3A. Marcação do fabricante: BD140. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Polaridade: bipolar. Potência: 12W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD139. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensão (colecionador - emissor): 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:24