Transistor NPN BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.5A. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 1.5A. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Família de componentes: transistor de potência NPN. Frequência de corte ft [MHz]: -. Frequência máxima: 50MHz. Frequência: 50MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 63. Ic(pulso): 3A. Marcação do fabricante: BD139. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Polaridade: bipolar. Potência: 12W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD140. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão (colecionador - emissor): 80V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): -. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 50. Vcbo: 80V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:24