Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.20€
5-49
0.16€
50-99
0.14€
100-199
0.13€
200+
0.11€
Quantidade em estoque: 226

Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 125V. BE diodo: não. Custo): 12pF. Diodo CE: não. FT: 100 MHz. Função: Transistor NPN, Aplicações AF e comutação. Ganho máximo de hFE: 63. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: EKs. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BCX42. Temperatura operacional: -65...150°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.9V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 125V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BCX41E6327
24 parâmetros
Corrente do coletor
0.8A
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23
Tensão do coletor/emissor Vceo
125V
BE diodo
não
Custo)
12pF
Diodo CE
não
FT
100 MHz
Função
Transistor NPN, Aplicações AF e comutação
Ganho máximo de hFE
63
Ganho mínimo de hFE
25
Ic(pulso)
1A
Marcação na caixa
EKs
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.33W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) BCX42
Temperatura operacional
-65...150°C
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.9V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
125V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies