Transistor NPN BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0930€
50-99
0.0809€
100-199
0.0732€
200+
0.0627€
Quantidade em estoque: 236
Mín.: 10

Transistor NPN BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: 150 MHz. Função: Transistor Digital de Silício PNP. Ganho mínimo de hFE: 50. Marcação na caixa: XUs. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Quantidade por caixa: 1. Resistor B: 4.7k Ohms. Resistor BE: 4.7k Ohms. RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BCR562E6327HTSA1
24 parâmetros
Corrente do coletor
500mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
150 MHz
Função
Transistor Digital de Silício PNP
Ganho mínimo de hFE
50
Marcação na caixa
XUs
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.33W
Quantidade por caixa
1
Resistor B
4.7k Ohms
Resistor BE
4.7k Ohms
RoHS
sim
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies
Quantidade mínima
10