Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

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Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Carcaça: SOT-223. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 25. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente máxima 1: 1A. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Família de componentes: transistor de potência NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Informação: -. Largura de banda MHz: 130MHz. Marcação do fabricante: BH. Número de terminais: 3. Polaridade: NPN. Potência: 1.5W. RoHS: sim. Série: BCP. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Tipo de montagem: SMD. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. VCBO de tensão-base do coletor: 100V. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:48

Documentação técnica (PDF)
BCP56T1G
23 parâmetros
Carcaça
SOT-223
Tensão coletor-emissor VCEO
80V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
1A
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-261
Colecionador DC/ganho de base hfe min.
25
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente máxima 1
1A
Dissipação máxima Ptot [W]
1.5W
Família de componentes
transistor de potência NPN
Frequência de corte ft [MHz]
130 MHz
Largura de banda MHz
130MHz
Marcação do fabricante
BH
Número de terminais
3
Polaridade
NPN
Potência
1.5W
RoHS
sim
Série
BCP
Temperatura máxima
+150°C.
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
80V
Tipo de montagem
SMD
Tipo
transistor para aplicações de baixa potência
VCBO de tensão-base do coletor
100V
Produto original do fabricante
Onsemi